7月22日国家知识产权局信息显示，理想万里晖半导体设备（上海）股份有限公司申请一项名为“异质结太阳能电池的制备方法以及异质结太阳电池”的专利，公开号CN120358822A，申请日期为2025年04月。

专利摘要显示，本发明提供异质结太阳能电池的制备方法以及异质结太阳电池。所述制备方法首先提供单晶硅片并对其进行制绒清洗，然后在单晶硅片的正反两面上分别形成第一、第二本征非晶硅层，接着在第一本征非晶硅层上形成N型非晶/微晶硅层，之后在第二本征非晶硅层上形成P型非晶/微晶硅层，然后在N型非晶/微晶硅层、P型非晶/微晶硅层上分别形成第一、第二透明导电膜层，之后在第一、第二透明导电膜层上形成第一、第二减反膜层，接着形成穿过第一、第二减反膜层的第一、第二凹槽，然后通过电镀工艺在第一、第二凹槽中分别形成第一电极以及第二电极，最后进行退火工艺。

天眼查资料显示，理想万里晖半导体设备（上海）股份有限公司，成立于2013年，位于上海市，是一家以从事专用设备制造业为主的企业。企业注册资本23512.8795万人民币。通过天眼查大数据分析，理想万里晖半导体设备（上海）股份有限公司共对外投资了2家企业，参与招投标项目11次，财产线索方面有商标信息12条，专利信息124条，此外企业还拥有行政许可28个。